UVLED原理及特性84
来源:功芯技网址:http://www.itopway.cn 1、紫外LED发光机理:PN结的端电压达到一定的势垒,外加正向偏压,当势垒下降时,多数载流子P区和N扩散区向另一方扩散。由于电子迁移率远大于空穴迁移率,所以会有大量电子进入P扩散区,P区构成了少子注入。这些电子和价带空穴重新结合,当化合物以光的形式释放出来时,就获得了能量。这就是PN结发光的原理。 2、UVLED发光效率:外部量子效率一般称为器件,即产品组装的内部量子效率和提取效率。所谓内部量子效率元件,实际上是指元件本身的电光转换效率,与其自身的主要成分(如材料带的成分、缺陷、杂质)、基组分和晶体元件的结构等有关。萃取效率分量是指光子在吸收过程中产生的内部成分,通过成分本身、折射、反射后,实际成分的外部可测量的光子数。因此,影响萃取效率的因素包括材料本身的吸收成分、几何结构成分、封装材料的组装和散射特性以及元件的折射率差结构等。提取效率是内部量子效率和组装元件的乘积,即整个组装体的发光效应,即模块的外部量子效率。早期器件的发展主要集中在提高其内部量子效率,主要方法是通过改善质量和改变基座晶体的晶体结构,从而便于将电能转化为热能,从而间接提高LED的发光效率。允许约70%的理论内量子效率,内部量子效率,但这几乎接近理论极限。在这种情况下,单独提高内部量子效率分量不太可能提高光成分的总量,因此提高成分的提取效率已成为一个重要的研究课题。目前的方法主要有:晶粒形状变化--针尖结构、表面粗糙化技术。
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